舛冈富士雄发明的闪存被英特尔先一步产量

说起闪存，想来你并不陌生。从手机到笔记本电脑，基本上是个能存上几MB数据的电子设备，都少不了这玩意儿。但你或许想不到的是，它的发明人在其问世之后，仅拿到了几百美元的奖金。不久之后还被排挤到不得不从公司辞职，遁走学术界。

而后来因为闪存业务日进斗金的老东家东芝，甚至一度宁可把发明功劳拱手让给老对手英特尔，也不肯承认他的功绩。这就是舛冈富士雄，一个被福布斯杂志评价为“没有得到应有评价的英雄”。

闪存的发明史

舛冈富士雄与东芝的“纠缠”始于1971年。彼时，他28岁，刚从日本半导体技术创始人之一，西泽润一门下博士毕业，已引得各大企业纷纷抛出橄榄枝。而他独独被时任东芝超大规模集成电路研究所所长的武石喜幸的一句话吸引：

我们一起做一个不存在于这个世界上的东西吧。为这么一个“大饼”，舛冈下定决心拒掉其他机会，投身东芝。刚到东芝的头一年，舛冈富士雄便贡献了SAMOS存储器方面的新专利，推动东芝与英特尔签署了相关交叉授权协议。但从履历上看，舛冈在东芝的头10年，并没有因为第一炮的成功打响就一帆风顺。相反，还颇有些波折

先是一度被调到销售部门，却业绩稀烂。后来又在工厂里折腾了好一遭，迟迟未能回归他最擅长的研发岗位。最后，还是当年挖掘他的伯乐武石喜幸抬了一手，在1980年把他捞回研究部门。也就是从这一年开始，当年吸引他加盟东芝的那个宏大愿景，真的在他手上一步步实现了。

DRAM潮流下的异类

尽管销售生涯并无建树，但在销售和生产岗位下收获的经验倒也不算白费。回归研究岗位的舛冈富士雄，很快就孕育出了自己作为“闪存之父”的第一“孩子

NOR闪存。

与DRAM存储器不同，闪存是一种切断电源后存储数据也不会消失的半导体非易失性存储器。在闪存诞生之前，这类产品的代表是英特尔的EEPROM（带电可擦可编程制度存储器）。不过，英特尔的EEPROM存在明显短板：读写性能差、难以提高集成度等。也就是说，这玩意儿不适合存储大容量的数据。

舛冈的解决思路，是“故意降低性能”。简单来说，在原来的存储器中，擦写数据是以字节为单位来进行的。而到了闪存里，这些原本都拿着单独号码牌的数据，被打包成一个个“小集体”来看待，即以块为单位来进行擦写。在芯片里，“号码牌”们本身就占据了电路的一部分。因此这么一操作，“号码牌”减少，芯片的面积自然就缩小了。

NOR Flash结构

说起来并不复杂，但事实上，如此以降低性能的方式来节约成本的思路，在舛冈当时的同事们看来多少有些“违背常理”。连舛冈自己都坦言，要不是在销售、生产岗上摸爬滚打了一圈，在IBM、英特尔等客户面前因为“产品价格太高”吃足了闭门羹，他的思路可能也拐不到这个方向上。

闪存无疑是可以写入教科书级别的发明。正如舛冈富士雄自己常常对外说的那样：如果有小型存储装置，就可以一边听歌一边跑步了

这在80年代当时是相当超前的想法了，第一款量产的MP3播放器可是1998年才出现的。但令人大跌眼镜的是，东芝本身对此并不重视，根本就没打算在闪存上投钱研究。

80年代，日本半导体产业正在飞速发展，但日本国内的人们却并不对自主创新抱有什么指望。在当时的人们看来，光是疯狂追赶英特尔等美国半导体企业的脚步就够费劲了。东芝自己，就把宝押在了当时主流的半导体存储器DRAM上。毕竟，这是一门巅峰时期能让东芝日入2亿日元的生意。于是在今天看来颇有些离谱的事情发生了：最先对舛冈的贡献做出正确评价的，竟是东芝的老对手英特尔。

1984年，舛冈富士雄团队在IEEE国际电子组件会议（IEDM）上发表了有关NOR闪存的论文。

新发明立刻引起了英特尔的注意。他们很快为此联系上了东芝和舛冈，并抢先在1988年量产了NOR闪存芯片。也就是说，闪存的概念最先诞生于东芝，但闪存产业的开创者却是大洋彼岸的英特尔。

这可着实让舛冈富士雄憋了一口气。此后他在闪存上一条道走到黑的决心，不能说与这个插曲无关。

是的，NOR闪存被忽视，并没有让舛冈放弃自己的研发方向。

尽管当时有不少人劝他放弃闪存，转而研究当时极受公司重视的DRAM，但他的行动很干脆：拼命维护住自己的小团队，就跟闪存杠上了。对于舛冈而言非常幸运的是，他的伯乐武石喜幸还是一如既往地支持着他。

在闪存研发团队的危机时刻，研究所所长武石喜幸表了态：舛冈的做法符合技术发展的方向，那就好好做吧。不仅如此，因为舛冈的团队申请不下来开发资金，武石所长还把其他项目的资金分给了他们。

1986年，不甘心的舛冈富士雄再次走到了同行前头，他发明了更便宜的NAND闪存，也就是现在大家手机里都在用的那种。

P.S. NAND闪存的原理同样“违背常理”。NAND结构能实现更高的存储密度和更快的擦写速度，但其传输速度却是NOR闪存的1/1000。

这一回，东芝倒是有所表示了：奖励了他几百美元奖金。

闪存起飞前夜，舛冈败走东芝

1991年，NAND闪存终于量产，但对于舛冈富士雄而言，他的东芝生涯却走向了尾声。这一年，他的事业后盾武石喜幸突然离世，享年63岁。

失去了唯一支持和理解自己的领导，舛冈在东芝彻底边缘化。1993年，舛冈富士雄升任技术总监。但却是看似升职，实则“三无”：没有办公室，没有部下，没有研发预算。

也就是说，实际上，舛冈已经无法继续在东芝开展研发工作。

1994年，在东芝度过了23个年头，从28岁的青年变成51岁的中年人之后，舛冈富士雄选择了辞职。此后，他回到母校日本东北大学任教，在1996年成为东北大学电气通信研究所教授。

尽管在90年代，东芝的闪存业务一度只能靠DRAM业务输血度日，但进入21世纪以后，闪存产业很快迎来爆发。到如今，这类产品的市场规模已经超过800亿美元。只是这些数字已然与舛冈富士雄无关。

东芝甚至一度不承认舛冈富士雄是NOR闪存的发明者，宁愿把这一功劳拱手让给英特尔。直至1997年舛冈被IEEE授予特殊贡献奖，东芝才改了口。为此，舛冈富士雄在2006年起诉了东芝，并索赔10亿日元。

技术只有在自由宽松的管理环境下，才能蓬勃发展。

多年之后，连当初经常和舛冈唱反调、甚至为了避开舛冈的目光而在两人工位之间放了一盆植物的白田理一郎都表示，舛冈是他遇到过的最好的领导，没有之一。

值得一提的是，NAND闪存研发团队的功臣们在舛冈离开东芝后，也相继四散各处。并且聚是一团火，散是满天星。

比如，白田理一郎，如今是IEEE Fellow，台湾交通大学特聘教授。作井康司，曾任日本本田研究所首席科学家，现任职于东京工业大学。百富正树，后来成为东芝内存技术研究所所长。