SK海力士表示成功研发全球首款业界最高层数NAND闪存,将拟2023年量产。
2022-08-03 16:24来源:未知编辑:xkj
扫一扫
分享文章到微信
扫一扫
关注99科技网微信公众号
8月3日,SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。
SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正式投入量产。
公司表示,此次238层NAND闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。
99科技网:http://www.99it.com.cn
相关推荐

