SK 海力士发布 176 层 4D 闪存：64GB 容量、TLC 颗粒

　　原标题：SK 海力士发布 176 层 4D 闪存：64GB 容量、TLC 颗粒

　　继美光后，SK 海力士宣布完成了业内首款多堆栈 176 层 4D 闪存的研发，容量 512Gb（64GB），TLC。

　　SK 海力士透露，闪存单元架构为 CTF（电荷捕获），同时集成了 PUC 技术。

　　4D 闪存是 SK 海力士自己的说法，此番的 176 层更是被称之为第三代，每片晶圆可以切割更多有效的闪存硅片。

　　除了容量增加 35%，闪存单元的读取速度也提升了 20%，使用加速技术可使得传输速度加快 33% 到 1.6Gbps。

　　SK 海力士预计相关产品明年年中上市，目前主控厂商已经在测试样品，预计会在手机闪存领域首发，目标是 70% 的的读速提升和 35% 的写速提升，后续还会应用到消费级 SSD 和企业产品上。

　　另外，SK 海力士已经表示，正在开发 1Tb（128GB）容量的 176 层 4D 闪存。

　　显然，今后手机可以在更紧凑的空间内做到大容量 ROM 空间了。